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DMS3016SFG
2
30
25
1.5
I D = 100mA
20
T A = 25°C
15
1
10
5
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125
0
0.2
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 10 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 11 Diode Forward Voltage vs. Current
10,000
f = 1MHz
10,000
T A = 150°C
T A = 125°C
C ISS
1,000
1,000
T A = 85°C
C OSS
100
100
C RSS
10
T A = 25°C
10
0
2 4 6 8 10 12 14
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Typical Total Capacitance
16
1
0 10 20 30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 13 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
10
8
6
4
2
V DS = 15V
I D = 11.2A
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
50
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 14 Gate-Charge Characteristics
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated.
DMS3016SFG
Document number: DS35434 Rev. 7 - 2
5 of 7
www.diodes.com
October 2012
? Diodes Incorporated
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